品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X
输入电容:8800pF@50V
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
工作温度:150℃
类型:N沟道
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
功率:255W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100A10N1,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100A10N1,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100A10N1,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100A10N1,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100A10N1,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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