品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK090A65Z,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1.27mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2780pF@300V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK090A65Z,S4X
输入电容:2780pF@300V
功率:45W
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:650V
栅极电荷:47nC@10V
阈值电压:4V@1.27mA
包装方式:管件
导通电阻:90mΩ@15A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK090A65Z,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1.27mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2780pF@300V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
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规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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