品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
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包装方式:管件
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连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8R2A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8R2A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5R3A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK58E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3400pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5R3A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R3A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK58E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3400pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK58E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3400pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8R2A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@300µA
功率:30W
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X
连续漏极电流:43A
阈值电压:4V@200µA
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:15mΩ@15A,10V
功率:53W
输入电容:1050pF@30V
包装方式:管件
栅极电荷:16nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R3A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R2E06PL,S1X
工作温度:175℃
功率:168W
阈值电压:2.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5000pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R3E06PL,S1X
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R3E06PL,S1X
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8R2A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:67W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R2E06PL,S1X
工作温度:175℃
功率:168W
阈值电压:2.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5000pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: