品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW015N65C,S1F
工作温度:175℃
功率:342W
阈值电压:5V@11.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@400V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8R2A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8R2A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5R3A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW015N65C,S1F
工作温度:175℃
功率:342W
阈值电压:5V@11.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@400V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@50A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5R3A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2380pF@30V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R3A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8R2A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R2A10PL,S4X
工作温度:175℃
功率:54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW015N120C,S1F
工作温度:175℃
功率:431W
阈值电压:5V@11.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@18V
包装方式:管件
输入电容:6000pF@800V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1E04PL,S1X
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@30A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW030N120C,S1F
工作温度:175℃
功率:249W
阈值电压:5V@13mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2925pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@30A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW060N120C,S1F
工作温度:175℃
功率:170W
阈值电压:5V@4.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1530pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@18A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R3A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R2E06PL,S1X
工作温度:175℃
功率:168W
阈值电压:2.5V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5000pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW140N120C,S1F
工作温度:175℃
功率:107W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@18V
包装方式:管件
输入电容:691pF@800V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@10A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW015N120C,S1F
工作温度:175℃
功率:431W
阈值电压:5V@11.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@18V
包装方式:管件
输入电容:6000pF@800V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK110A10PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2040pF@50V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7R4A10PL,S4X
工作温度:175℃
功率:42W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R2A10PL,S4X
工作温度:175℃
功率:54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK110A10PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2040pF@50V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R2A10PL,S4X
工作温度:175℃
功率:54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:161nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TW060N120C,S1F
工作温度:175℃
功率:170W
阈值电压:5V@4.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1530pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@18A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1E04PL,S1X
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@30A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1A04PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@30A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1E04PL,S1X
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@30A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R3E06PL,S1X
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1A04PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@30A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK3R1E04PL,S1X
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@30A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R3E06PL,S1X
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: