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    品牌: 东芝(TOSHIBA)
    包装方式: 管件
    类型: N沟道
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:400+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:148A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10J80E,S1E

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7E80W,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7E80W,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7E80W,S1X

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@280µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK62N60W,S1VF 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK62N60W,S1VF 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK62N60W,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:400W

    阈值电压:3.7V@3.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6500pF@300V

    连续漏极电流:61.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@30.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16E60W,S1VX 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16E60W,S1VX 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK16E60W,S1VX

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:3.7V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@300V

    连续漏极电流:15.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39J60W,S1VQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39J60W,S1VQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK39J60W,S1VQ

    工作温度:150℃

    功率:270W

    阈值电压:3.7V@1.9mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@300V

    连续漏极电流:38.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@19.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3564(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3564(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A80W,S4X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A80W,S4X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK17A80W,S4X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@850µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@300V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10A60D(STA4,Q,M) 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10A60D(STA4,Q,M) 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16A60W,S4VX 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16A60W,S4VX 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK16A60W,S4VX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:3.7V@790µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@300V

    连续漏极电流:15.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A80E,S4X 起订6个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A80E,S4X 起订6个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6A80E,S4X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@600µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7Ω@3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17E80W,S1X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17E80W,S1X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK17E80W,S1X

    工作温度:150℃

    功率:180W

    阈值电压:4V@850µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@300V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2A65D(STA4,Q,M) 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2A65D(STA4,Q,M) 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.26Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK13A65U(STA4,Q,M) 起订2500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK13A65U(STA4,Q,M) 起订2500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK13A65U(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK040N65Z,S1F 起订30个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK040N65Z,S1F 起订30个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK040N65Z,S1F

    工作温度:150℃

    功率:360W

    阈值电压:4V@2.85mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6250pF@300V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@28.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:148A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39N60W5,S1VF 起订30个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39N60W5,S1VF 起订30个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK39N60W5,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:270W

    阈值电压:4.5V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@300V

    连续漏极电流:38.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK3A60DA(STA4,Q,M) 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK3A60DA(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A80W,S4X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A80W,S4X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK17A80W,S4X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@850µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@300V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK28N65W,S1F 起订30个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK28N65W,S1F 起订30个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK28N65W,S1F

    工作温度:150℃

    功率:230W

    阈值电压:3.5V@1.6mA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@300V

    连续漏极电流:27.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@13.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK22E10N1,S1X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK22E10N1,S1X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK22E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12A60D(STA4,Q,M) 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A65D(STA4,Q,M) 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A65D(STA4,Q,M) 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK9A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:830mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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