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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J412TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.7mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P49NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P49NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J331R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J422TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.7mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J412TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.7mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J331R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L61NU，LF
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J331R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J412TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.7mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K345R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J331R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P49NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J331R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J331R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K345R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L61NU，LF
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K345R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K345R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J331R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P49NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J412TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.7mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J412TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.7mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J412TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.7mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J331R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J412TU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.7mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J331R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J331R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K345R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L61NU，LF
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
