采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35CT，L3F(T
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：8Ω@4V，50mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J35CT，L3F(T
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
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导通电阻：8Ω@4V，50mA
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功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
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功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
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导通电阻：8Ω@4V，50mA
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阈值电压：1V@1mA
导通电阻：8Ω@4V，50mA
漏源电压：20V
功率：100mW
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
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行业应用：工业,汽车
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功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：100mA
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导通电阻：8Ω@4V，50mA
漏源电压：20V
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库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：29.8mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.2nC@4V
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：150mW
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输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
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导通电阻：29.8mΩ@4.5V，3A
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
漏源电压：20V
输入电容：840pF@10V
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连续漏极电流：5.5A
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功率：150mW
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输入电容：43pF@10V
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
栅极电荷：1.2nC@4V
漏源电压：20V
连续漏极电流：330mA
类型：1个P沟道
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