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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L16FETE85LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N和P沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L16FETE85LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N和P沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM5H08TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@750mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
