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    20V
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    36A
    行业应用
    品牌: 东芝(TOSHIBA)
    漏源电压: 20V
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN4R712MD,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:42W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.7mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订2000个装
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    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN4R712MD,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:42W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@10V

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    类型:P沟道

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订1000个装
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    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):TPN4R712MD,L1Q

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    功率:42W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@10V

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    类型:P沟道

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订1000个装
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    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):TPN4R712MD,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:42W

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    类型:P沟道

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订100个装
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    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):TPN4R712MD,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:42W

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订500个装
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    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):TPN4R712MD,L1Q

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    功率:42W

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订100个装
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订10个装
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    功率:42W

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订10个装
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    功率:42W

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订500个装
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订5000个装
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    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):TPN4R712MD,L1Q

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    功率:42W

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订3个装
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订3个装
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN4R712MD,L1Q 起订10000个装
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    品牌:东芝(TOSHIBA)

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    规格型号(MPN):TPN4R712MD,L1Q

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