采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R2A10PL，S4X
工作温度：175℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
输入电容：8800pF@50V
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
工作温度：150℃
类型：N沟道
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：100A
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
功率：255W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R2A10PL，S4X
工作温度：175℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R2A10PL，S4X
工作温度：175℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R2A10PL，S4X
工作温度：175℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK3R2A10PL，S4X
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
类型：N沟道
工作温度：175℃
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：管件
连续漏极电流：100A
栅极电荷：161nC@10V
输入电容：9500pF@50V
ECCN：EAR99
功率：54W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
