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    品牌
    东芝（TOSHIBA）
    漏源电压
    650V
    阈值电压
    4V@1.02mA
    类型
    1个N沟道
    品牌： 东芝（TOSHIBA）
    漏源电压： 650V
    阈值电压： 4V@1.02mA
    类型： 1个N沟道
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK125V65Z,LQ 起订数1000个
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK125V65Z,LQ 起订数1000个

    品牌：东芝（TOSHIBA）

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    功率：190W

    阈值电压：4V@1.02mA

    栅极电荷：40nC@10V

    输入电容：2.25nF@300V

    连续漏极电流：24A

    类型：1个N沟道

    导通电阻：125mΩ@12A，10V

    漏源电压：650V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK125V65Z,LQ 起订数500个
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK125V65Z,LQ 起订数500个

    品牌：东芝（TOSHIBA）

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    功率：190W

    阈值电压：4V@1.02mA

    栅极电荷：40nC@10V

    输入电容：2.25nF@300V

    连续漏极电流：24A

    类型：1个N沟道

    导通电阻：125mΩ@12A，10V

    漏源电压：650V

    包装清单：商品主体 * 1

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