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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3564(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3564(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
漏源电压：900V
工作温度：150℃
功率：40W
类型：N沟道
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
阈值电压：4V@200µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：900V
输入电容：500pF@25V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
功率：80W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3564(STA4，Q，M)
输入电容：700pF@25V
漏源电压：900V
工作温度：150℃
功率：40W
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：3A
包装方式：管件
导通电阻：4.3Ω@1.5A，10V
阈值电压：4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
阈值电压：4V@200µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：900V
输入电容：500pF@25V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
功率：80W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：200W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：200W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：200W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
