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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1400ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
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阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
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输入电容：1900pF@50V
连续漏极电流：24A
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导通电阻：13.6mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：24A
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输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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连续漏极电流：24A
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漏源电压：100V
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
阈值电压：4V@300µA
连续漏极电流：24A
功率：1.6W€48W
栅极电荷：22nC@10V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
工作温度：150℃
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导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：24A
类型：N沟道
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连续漏极电流：24A
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