品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:2nF@10V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:2nF@10V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€100W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ40S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:68W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4140pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK110P10PL,RQ
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R003NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€36W
阈值电压:2.3V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R003NL,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€36W
阈值电压:2.3V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€100W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK110P10PL,RQ
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN9R614MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€100W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN9R614MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€100W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ40S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:68W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4140pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ40S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:68W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4140pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN9R614MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€100W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ40S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:68W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4140pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK110P10PL,RQ
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN3R804NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€100W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK110P10PL,RQ
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN9R614MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€100W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: