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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
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功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH2R306NH，L1Q
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功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
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功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
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栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：74nC@10V
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输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
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功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9003NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：150℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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