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    品牌: 东芝(TOSHIBA)
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 2A
    当前匹配商品:100+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P60D(TE16L1,NQ) 起订7个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P60D(TE16L1,NQ) 起订7个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P60D(TE16L1,NQ)

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K347R,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K347R,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K347R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:86pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@1A,10V

    漏源电压:38V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K122TU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K122TU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K122TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@1A,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2A65D(STA4,Q,M) 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2A65D(STA4,Q,M) 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.26Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615TU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615TU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K2615TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订4000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订4000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K347R,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K347R,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K347R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:86pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@1A,10V

    漏源电压:38V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K347R,LF 起订6000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K347R,LF 起订6000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K347R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:86pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@1A,10V

    漏源电压:38V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK2P90E,RQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK2P90E,RQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9Ω@1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K337R,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K337R,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K337R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.7V@1mA

    栅极电荷:3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,10V

    漏源电压:38V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3H137TU,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3H137TU,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3H137TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.7V@1mA

    栅极电荷:3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:119pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@1A,10V

    漏源电压:34V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K127TU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K127TU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K127TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@1A,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615TU,LF 起订9000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615TU,LF 起订9000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K2615TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K127TU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K127TU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K127TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@1A,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K122TU,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K122TU,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K122TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@1A,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6H19NU,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6H19NU,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6H19NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.2nC@4.2V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1A,8V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K122TU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K122TU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K122TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@1A,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K337R,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K337R,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K337R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.7V@1mA

    栅极电荷:3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,10V

    漏源电压:38V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K337R,LF 起订9000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K337R,LF 起订9000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K337R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.7V@1mA

    栅极电荷:3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,10V

    漏源电压:38V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6H19NU,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6H19NU,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6H19NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.2nC@4.2V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1A,8V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K337R,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K337R,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K337R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.7V@1mA

    栅极电荷:3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,10V

    漏源电压:38V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K337R,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K337R,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K337R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.7V@1mA

    栅极电荷:3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2A,10V

    漏源电压:38V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615TU,LF 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615TU,LF 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K2615TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K407TU,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K407TU,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K407TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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