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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：29.8mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：29.8mΩ@4.5V，3A
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
漏源电压：20V
输入电容：840pF@10V
类型：1个P沟道
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：560pF@15V
功率：500mW
栅极电荷：7.9nC@4.5V
漏源电压：30V
导通电阻：50mΩ@3A，10V
阈值电压：1.2V@1mA
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35CTC，L3F
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
阈值电压：1V@100μA
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
