品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J213FE(TE85L,F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J412TU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.7mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J328R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J145TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J505NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:37.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J145TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:29.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J133TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J65CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J65CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J424TU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:22.5mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J512NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:16.2mΩ@4A,8V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J133TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J414TU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:22.5mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J338R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:17.6mΩ@6A,8V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J328R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J36FS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:330mA
类型:P沟道
导通电阻:1.31Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J143TU,LXHF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J66MFV,L3XHF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J56ACT,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J66MFV,L3XHF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J338R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:17.6mΩ@6A,8V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J66MFV,L3XHF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J328R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J424TU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:22.5mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: