品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6510pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:6.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6510pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:6.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R714MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5640pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCP8107,LF
工作温度:175℃
功率:1W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2160pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R714MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5640pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6510pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:6.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6510pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:6.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R714MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5640pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ40S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:68W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4140pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ20S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:41W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:22.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH3R114MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9500pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH3R114MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9500pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7770pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH4R714MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5640pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ20S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:41W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:22.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN9R614MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€100W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6510pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:6.3mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH3R114MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9500pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ20S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:41W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:22.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ20S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:41W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:22.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ20S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:41W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:22.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ80S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7770pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ90S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:180W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:172nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7700pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:4.3mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN9R614MC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:840mW€100W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: