品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J356R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ168TE85LF
工作温度:150℃
功率:200mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:2Ω@50mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ30S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:68W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:21.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J168F,LXHF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:1.55Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ168TE85LF
工作温度:150℃
功率:200mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:2Ω@50mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J168F,LXHF
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:1.55Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ30S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:68W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:21.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J356R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J356R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ168TE85LF
工作温度:150℃
功率:200mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:2Ω@50mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J356R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ30S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:68W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:21.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ168TE85LF
工作温度:150℃
功率:200mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:2Ω@50mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J356R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J168F,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: