品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N24TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:145mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K131TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:27.6mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J214FE(TE85L,F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:7.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K202FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.5A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA€2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V€120pF@15V
连续漏极电流:1.6A€1.4A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J117TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K202FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.5A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K406TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K202FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.5A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA€2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V€120pF@15V
连续漏极电流:1.6A€1.4A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K202FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.5A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K202FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.5A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K202FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.5A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA€2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V€120pF@15V
连续漏极电流:1.6A€1.4A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K202FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.5A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15ACTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K127TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:123pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@1A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K127TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:123pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@1A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J207FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:137pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:251mΩ@650mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15ACTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15ACTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15ACTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA€2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V€120pF@15V
连续漏极电流:1.6A€1.4A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N24TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:245pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:145mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: