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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2615(TE12L.F)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：230mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N357R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N357R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N357R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N357R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
