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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P35AFE,LF 起订9个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P35AFE,LF 起订9个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订22个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订22个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AMFV,L3F 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AMFV,L3F 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K15AMFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L14FE(TE85L,F) 起订6个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L14FE(TE85L,F) 起订6个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L14FE(TE85L,F)

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:90pF@10V€110pF@10V

    连续漏极电流:800mA€720mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订9个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订9个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FE,LM(T 起订7个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N37FE,LM(T 起订7个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N37FE,LM(T

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36FS,LF 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36FS,LF 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K36FS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.23nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:630mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L36FE,LM 起订7个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L36FE,LM 起订7个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L36FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:500mA€330mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:630mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K7002CFU,LF 起订18个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K7002CFU,LF 起订18个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2113MFV,L3F 起订17个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2113MFV,L3F 起订17个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P15FE(TE85L,F) 起订31个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P15FE(TE85L,F) 起订31个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6P15FE(TE85L,F)

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.7V@100µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.1pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:12Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 起订9个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 起订9个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:630mΩ@5V,200mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1104MFV,L3F 起订17个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1104MFV,L3F 起订17个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N16FE,L3F 起订13个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N16FE,L3F 起订13个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N16FE,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.3pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K17FU,LF 起订16个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K17FU,LF 起订16个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K17FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@1µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@10mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2116MFV,L3F 起订2000个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN2116MFV,L3F 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订38个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J35AMFV,L3F 起订38个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AMFV,L3F

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100μA

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1106MFV,L3F 起订1000个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1106MFV,L3F 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L35FE,LM 起订8个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L35FE,LM 起订8个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L35FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@3V

    连续漏极电流:180mA€100mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:3Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K17FU,LF 起订29个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K17FU,LF 起订29个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K17FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@1µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@10mA,4V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AFU,LF 起订75000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AFU,LF 起订75000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K15AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1102MFV,L3F 起订47个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1102MFV,L3F 起订47个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K48FU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K48FU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K48FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15.1pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CFS,LF 起订9000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CFS,LF 起订9000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72CFS,LF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1106MFV,L3F 起订28个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1106MFV,L3F 起订28个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1106MFV,L3F 起订2000个装
    TOSHIBA 数字晶体管 RN1106MFV,L3F 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@500µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:150mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AMFV,L3F 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AMFV,L3F 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K15AMFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K48FU,LF 起订21000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K48FU,LF 起订21000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K48FU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15.1pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AFU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AFU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K15AFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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