品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20N60W,S1VF
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20E60W5,S1VX
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17E65W,S1X
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.5V@900µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@8.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20J60W,S1VE
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20N60W,S1VF
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20N60W5,S1VF
功率:165W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@300V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17E65W,S1X
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.5V@900µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@8.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20N60W,S1VF
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: