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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8407，LF
工作温度：150℃
功率：690mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@10V€810pF@10V
连续漏极电流：5A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8407，LF
工作温度：150℃
功率：690mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@10V€810pF@10V
连续漏极电流：5A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8407，LF
工作温度：150℃
功率：690mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@10V€810pF@10V
连续漏极电流：5A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LXHF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J808R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8407，LF
工作温度：150℃
功率：690mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@10V€810pF@10V
连续漏极电流：5A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
