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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
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功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1110FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€57W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：112mΩ@5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2010FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：198mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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