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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
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功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
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功率：2.1W
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栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
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功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
连续漏极电流：4.2A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：68mΩ@6A，10V
功率：2.1W
栅极电荷：17nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：60V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
输入电容：879pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
功率：1.5W
类型：2个P沟道（双）
漏源电压：20V
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2815_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：52mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
连续漏极电流：4.2A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：68mΩ@6A，10V
功率：2.1W
栅极电荷：17nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：60V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
输入电容：879pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
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