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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NIF5002NT1G
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@10V，12A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@10V，12A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@10V，12A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@10V，12A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34NPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：7.5nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：87mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@10V，12A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34NPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：7.5nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：87mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
阈值电压：2.1V@250μA
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
输入电容：20pF@25V
反向传输电容：4pF@25V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
阈值电压：2.1V@250μA
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
输入电容：20pF@25V
反向传输电容：4pF@25V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
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