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品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD2N60
功率：37W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD2N65
功率：37W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD2N60
功率：37W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD2N65
功率：37W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD2N65
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：4Ω@10V
类型：1个N沟道
功率：37W
连续漏极电流：2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
