品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K2P10SE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.653nF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:41pF@50V
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K2P10SE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.653nF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:41pF@50V
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G60N10T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:146nC@10V
输入电容:3.97nF@50V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:160pF@50V
导通电阻:14mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K2P10SE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.653nF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:41pF@50V
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT095N10K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:74W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:1.667nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT095N10K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:74W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:1.667nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G60N10T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:146nC@10V
输入电容:3.97nF@50V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:160pF@50V
导通电阻:14mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K2P10SE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.653nF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:41pF@50V
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K2P10SE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.653nF@50V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:41pF@50V
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K2P10SE
输入电容:1.653nF@50V
功率:3.1W
栅极电荷:23nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
漏源电压:100V
反向传输电容:41pF@50V
导通电阻:170mΩ@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G60N10T
反向传输电容:160pF@50V
输入电容:3.97nF@50V
类型:1个N沟道
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
连续漏极电流:60A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:14mΩ
栅极电荷:146nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K2P10SE
输入电容:1.653nF@50V
功率:3.1W
栅极电荷:23nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
漏源电压:100V
反向传输电容:41pF@50V
导通电阻:170mΩ@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT095N10K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:74W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:1.667nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G60N10T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:146nC@10V
输入电容:3.97nF@50V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:160pF@50V
导通电阻:14mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G60N10T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:146nC@10V
输入电容:3.97nF@50V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:160pF@50V
导通电阻:14mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):G12P10TE
栅极电荷:33nC@10V
连续漏极电流:12A
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个P沟道
漏源电压:100V
导通电阻:170mΩ@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: