采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5N60F
功率：44.6W
阈值电压：4V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
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品牌：谷峰
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：5N60F
功率：44.6W
阈值电压：4V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@10V
漏源电压：600V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
功率：44.6W
类型：1个N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：2.5V@250μA
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栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：5N60F
功率：44.6W
阈值电压：4V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@10V
漏源电压：600V
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品牌：谷峰
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10TE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：170mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：G12P10TE
栅极电荷：33nC@10V
连续漏极电流：12A
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
导通电阻：170mΩ@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：G12P10TE
栅极电荷：33nC@10V
连续漏极电流：12A
功率：44.6W
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
导通电阻：170mΩ@10V
包装清单：商品主体 * 1
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