品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G01N20LE
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):5N20A
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:580mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2002A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:733pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: