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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G02P06
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G02P06
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G02P06
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G01N20LE
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功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
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栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G02P06
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功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
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规格型号(MPN)：G02P06
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功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
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规格型号(MPN)：G01N20LE
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功率：1.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
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输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
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栅极电荷：12nC@10V
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输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
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规格型号(MPN)：G02P06
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功率：1.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G02P06
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G02P06
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G02P06
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G02P06
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功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G02P06
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G02P06
包装方式：卷带（TR）
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功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：60V
导通电阻：190mΩ@1A，10V
类型：P沟道
连续漏极电流：1.6A
ECCN：EAR99
输入电容：573pF@30V
栅极电荷：11.3nC@10V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G01N20LE
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G02P06
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G02P06
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
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栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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