品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7810
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:542pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4296
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@50V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@13.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4268
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4290A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4525pF@50V
连续漏极电流:15.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@15.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21307
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21307
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4268
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7810
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:542pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4268
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21307
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7810
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:542pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4268
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7810
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:542pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4268
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4268
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7810
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:542pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21307
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: