品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF20S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:37.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1038pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB20S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1038pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB20S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1038pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT20S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.1V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1038pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB20S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1038pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB20S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.8nC@10V
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输入电容:1038pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB20S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1038pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT20S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.1V@250µA
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1038pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB20S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1038pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF20S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:37.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1038pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF20S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:37.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1038pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT20S60L
连续漏极电流:20A
输入电容:1038pF@100V
栅极电荷:19.8nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
功率:266W
阈值电压:4.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: