销售单位:个
规格型号(MPN):AON7264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2610E
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€59.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:19A€46A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2610E
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€59.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:19A€46A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2610E
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€59.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:19A€46A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOY2610E
工作温度:-55℃~150℃
功率:59.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOY2610E
工作温度:-55℃~150℃
功率:59.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2610E
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€59.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:19A€46A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66614
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€78W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3310pF@30V
连续漏极电流:34.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66614
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€78W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3310pF@30V
连续漏极电流:34.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2610E
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€59.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:19A€46A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66614
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€78W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3310pF@30V
连续漏极电流:34.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66614
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€78W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3310pF@30V
连续漏极电流:34.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66614
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€78W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3310pF@30V
连续漏极电流:34.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66614
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€78W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3310pF@30V
连续漏极电流:34.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2610E
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€59.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:19A€46A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOY2610E
工作温度:-55℃~150℃
功率:59.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2610E
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€59.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:19A€46A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4264E
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2610E
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€59.5W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:19A€46A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: