采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：198W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：198W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：198W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD11S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF380A60CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB380A60CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：131W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD11S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD380A60C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOW11N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：272W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11N70
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：870mΩ@5.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOW11N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：272W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD11S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOW11N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：272W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB380A60CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：131W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT12N40L
工作温度：-55℃~150℃
功率：184W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：590mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD11S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：198W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD11S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：198W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD11S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
