采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT1N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：41.7W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：AOT1N60
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栅极电荷：8nC@10V
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连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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类型：N沟道
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功率：41.7W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
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类型：N沟道
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
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类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
导通电阻：9Ω@650mA，10V
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