销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6324
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2719pF@15V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6324
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:85A
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2719pF@15V
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7S60
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
栅极电荷:8.2nC@10V
漏源电压:600V
阈值电压:3.9V@250µA
输入电容:372pF@100V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6324
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2719pF@15V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6324
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2719pF@15V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6324
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2719pF@15V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6324
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2719pF@15V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6324
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:85A
栅极电荷:28nC@4.5V
输入电容:2719pF@15V
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
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