采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOTF11S65L
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功率：31W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
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规格型号(MPN)：AOTF11S65L
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连续漏极电流：11A
类型：N沟道
漏源电压：650V
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
功率：31W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
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导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
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