品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOW15S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:717pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOW15S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:717pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT8N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT20N25L
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1028pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@10A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT8N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB190A60CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.6V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOW15S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:717pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT15S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:841pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT8N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.15Ω@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT15S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:841pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB190A60CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.6V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT15S65L
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:841pF@100V
栅极电荷:17.2nC@10V
功率:208W
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15A
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
功率:208W
输入电容:545pF@100V
漏源电压:600V
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
阈值电压:4.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB190A60CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.6V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4.1V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: