销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
功率:56.8W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:263pF@100V
类型:N沟道
栅极电荷:6nC@10V
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
阈值电压:4.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
功率:56.8W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:263pF@100V
类型:N沟道
栅极电荷:6nC@10V
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.1V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:263pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4S60
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
功率:56.8W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:263pF@100V
类型:N沟道
栅极电荷:6nC@10V
导通电阻:900mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
阈值电压:4.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: