采购热线 400-6619-010
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@8V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM3011N TR13 PBFREE
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PN5033
功率：20V
包装方式：散装
连续漏极电流：20V
类型：P 通道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1848
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMKDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1848
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMKDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7001 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.57nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：1.58nC@4.5V
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：590pC@4.5V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：1.58nC@4.5V
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：1个P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：1.58nC@4.5V
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：500mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA
特征频率：220MHz
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100μA，100mA
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：790pC@4.5V
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：790pC@4.5V
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：100mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：570pC@4.5V
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：1.58nC@4.5V
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.8nC@5V
输入电容：920pF@30V
连续漏极电流：5.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：200V
通态峰值电压(Vtm)：1.7V
保持电流(Ih)：5mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：800mA
门极触发电流(Igt)：200μA
门极触发电压(Vgt)：800mV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.8nC@5V
输入电容：920pF@30V
连续漏极电流：5.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：790pC@4.5V
输入电容：43pF@25V
连续漏极电流：1.78A
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
