采购热线 400-6619-010
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM3011N TR13 PBFREE
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：100V
通态峰值电压(Vtm)：1.7V
ECCN：EAR99
保持电流(Ih)：5mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：800mA
门极触发电流(Igt)：200μA
包装方式：散装
门极触发电压(Vgt)：800mV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7001 TR PBFREE
工作温度：-65℃~+150℃
功率：100mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：570pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM7002AG TR PBFREE
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：590pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：5pF
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100 pF @ 8 V
连续漏极电流：11A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：20 毫欧 @ 11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM3011N TR13 PBFREE
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860 pF @ 15 V
连续漏极电流：11A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：20 毫欧 @ 11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1848
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMKDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@8V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PN5033
功率：20V
包装方式：散装
连续漏极电流：20V
类型：P 通道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：200V
通态峰值电压(Vtm)：1.7V
保持电流(Ih)：5mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：800mA
门极触发电流(Igt)：200μA
包装方式：散装
门极触发电压(Vgt)：800mV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：400psc
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：600V
通态峰值电压(Vtm)：1.6V
保持电流(Ih)：20mA
工作温度：-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms))：16A
门极触发电流(Igt)：15mA
包装方式：散装
门极触发电压(Vgt)：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM3011N TR13 PBFREE
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860 pF @ 15 V
连续漏极电流：11A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：20 毫欧 @ 11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM3737 TR PBFREE
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2个N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：200V
通态峰值电压(Vtm)：1.7V
保持电流(Ih)：5mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：800mA
门极触发电流(Igt)：200μA
门极触发电压(Vgt)：800mV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002 TR13 PBFREE
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：590pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N沟道
ECCN：EAR99
输入电容：14pF@20V
功率：1.8W
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：500mV@1nA
工作温度：-65℃~+175℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：5mA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N沟道
输入电容：10pF@10V
功率：360mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：-65℃~+200℃
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：200V
通态峰值电压(Vtm)：1.7V
保持电流(Ih)：5mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：800mA
门极触发电流(Igt)：200μA
门极触发电压(Vgt)：800mV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
断态峰值电压(Vdrm)：200V
通态峰值电压(Vtm)：1.7V
保持电流(Ih)：5mA
工作温度：-40℃~+125℃
通态RMS电流(It(rms))：800mA
门极触发电流(Igt)：200μA
门极触发电压(Vgt)：800mV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
类型：N沟道
输入电容：10pF@10V
功率：360mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：800mV@0.5nA
工作温度：-65℃~+200℃
漏源饱和电流：8mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N沟道
ECCN：EAR99
输入电容：14pF@20V
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：500mV@1nA
工作温度：-65℃~+150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCX38A TRA PBFREE
包装方式：Reel
晶体管类型：达林顿管
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5V，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002 TR13 PBFREE
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：590pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002 TR PBFREE
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
