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品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1848
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMKDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：1848
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工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：CMUDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：CMLDM8120G TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：CMKDM8005 TR PBFREE
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功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
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输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
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工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
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栅极电荷：3.56nC@4.5V
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连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
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连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
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阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
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输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
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工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CMLDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CMLDM8120G TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CMLDM8120G TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
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输入电容：200pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8120G TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.56nC@4.5V
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连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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功率：300mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
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输入电容：100pF@16V
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类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：300mW
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输入电容：100pF@16V
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类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：350mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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功率：350mW
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栅极电荷：3.56nC@4.5V
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输入电容：200pF@16V
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类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
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类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
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输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
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