品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMLDM3737 TR PBFREE
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.58nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:2个N沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:570pC@4.5V
输入电容:9pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMLDM3737 TR PBFREE
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.58nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:2个N沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:570pC@4.5V
输入电容:9pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: