采购热线 400-661-9010
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM3737 TR PBFREE
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2个N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：100Ω
类型：N沟道
ECCN：EAR99
输入电容：14pF@20V
功率：350mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：500mV@1nA
工作温度：-65℃~+150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：5mA@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM7484 TR PBFREE
工作温度：-65℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：790pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMLDM3737 TR PBFREE
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2个N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
