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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDMQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDMQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1007pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1007pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDMQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1007pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDMQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HJ3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：547pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1007pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDMQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDMQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HJ3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：547pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HJ3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：547pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A16GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1007pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
