销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
功率:625mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
集电极电流(Ic):800mA
工作温度:55℃~150℃
晶体管类型:PNP
包装方式:卷带(TR)
特征频率:140MHz
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集电集截止电流(Icbo):200nA
集射极击穿电压(Vceo):100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
功率:625mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
集电极电流(Ic):800mA
工作温度:55℃~150℃
晶体管类型:PNP
包装方式:卷带(TR)
特征频率:140MHz
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
集电集截止电流(Icbo):200nA
集射极击穿电压(Vceo):100V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FMMT734TA
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):200nA
特征频率:140MHz
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.05V@5mA,1A
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: