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规格型号(MPN)：FZT600TA
集射极击穿电压(Vceo)：140V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
ECCN：EAR99
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：140V
集电极电流(Ic)：2A
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：140V
集电极电流(Ic)：2A
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集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：140V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：140V
集电极电流(Ic)：2A
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集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FZT600TA
集射极击穿电压(Vceo)：140V
集电极电流(Ic)：2A
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集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
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包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FZT600TA
集射极击穿电压(Vceo)：140V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
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工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
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品牌：DIODES
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
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规格型号(MPN)：FZT600TA
特征频率：250MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
晶体管类型：NPN
集电集截止电流(Icbo)：10µA
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集射极击穿电压(Vceo)：140V
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功率：2W
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
集电极电流(Ic)：2A
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FZT600TA
集射极击穿电压(Vceo)：140V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
工作温度：55℃~150℃
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晶体管类型：NPN
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规格型号(MPN)：FZT600TA
集射极击穿电压(Vceo)：140V
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工作温度：55℃~150℃
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集射极击穿电压(Vceo)：140V
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集电集截止电流(Icbo)：10µA
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工作温度：55℃~150℃
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晶体管类型：NPN
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规格型号(MPN)：FZT600TA
集射极击穿电压(Vceo)：140V
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工作温度：55℃~150℃
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晶体管类型：NPN
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规格型号(MPN)：FZT600TA
集射极击穿电压(Vceo)：140V
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规格型号(MPN)：FZT600TA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
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包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FZT600TA
集射极击穿电压(Vceo)：140V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.2V@10mA，1A
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
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规格型号(MPN)：FZT600TA
集射极击穿电压(Vceo)：140V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
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集射极击穿电压(Vceo)：140V
集电极电流(Ic)：2A
功率：2W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：250MHz
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V
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