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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：950mA
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2039UFDE4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2600UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70.13pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2039UFDE4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：950mA
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：950mA
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2039UFDE4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG301NU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG301NU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG301NU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG301NU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2600UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70.13pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：950mA
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：950mA
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：950mA
类型：MOSFET
导通电阻：450mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG301NU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2039UFDE4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG301NU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2039UFDE4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2039UFDE4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2600UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70.13pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
